| 一种源体欧姆接触绝缘体上硅晶体管的制作方法 | |
| 毕津顺; 海潮和 | |
| 2006-10-13 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 专利号 | CN101162696 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种源体欧姆接触SOI晶体管的制作方法，该方法包 括：A.在源体欧姆接触SOI晶体管版图中，增加一层源漏大剂量杂质反 注入光刻版；B.以源漏大剂量杂质注入光刻版的反版为掩膜进行源漏大 剂量杂质注入；C.以增加的源漏大剂量杂质反注入光刻版的反版为掩膜 进行源漏大剂量杂质反注入，引出栅区下面的体区；D.溅射钛层，退火 生成源漏硅化物，形成源体欧姆接触SOI晶体管。利用本发明，消除通常 部分耗尽SOI浮体器件中存在的边缘漏电现象和浮体效应。本发明与互补 金属—氧化物—半导体场效应晶体管(CMOS)工艺完全兼容，适用于低 压、低功耗、高可靠性集成电路领域，可以用于商业化生产。 |
| 公开日期 | 2008-04-16 ; 2010-11-26 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8066]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 毕津顺,海潮和. 一种源体欧姆接触绝缘体上硅晶体管的制作方法. CN101162696. 2006-10-13. |
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