| 一种钽铝氮金属栅的制备方法 | |
| 徐秋霞; 许高博 | |
| 2009-02-09 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种钽铝氮金属栅的制备方法，该方法包括：清洗硅片；对清洗后的硅片进行淀积前氧化；在氧化后的硅片上淀积高介电常数栅介质；在高介电常数栅介质上淀积氮化铝/氮化钽叠层金属栅；对淀积了氮化铝/氮化钽叠层金属栅的硅片进行超声清洗；对清洗后的硅片进行金属栅淀积后退火，形成钽铝氮金属栅；背面溅铝并进行合金处理。利用本发明制备的钽铝氮金属栅，由于铝的引入有助于金属栅平带电压向正向漂移，即有助于P型金属氧化物半导体场效应晶体管金属栅功函数的调节。 |
| 公开日期 | 2016-03-18 |
| 状态 | 公开 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/14571]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐秋霞,许高博. 一种钽铝氮金属栅的制备方法. 2009-02-09. |
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