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微电子研究所 [44]
内容类型
期刊论文 [44]
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2009 [44]
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一种减少VDMOS寄生电容的新结构
期刊论文
微电子学, 2009, 卷号: 32, 期号: 20, 页码: 3,200-202
作者:
郭丽莎
;
夏洋
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/06/01
Vdmos
电容
Tcad
开关时间
基于SOISi片的二极管红外探测器
期刊论文
微纳电子技术, 2009, 卷号: 46, 期号: 9, 页码: 5,525-529
作者:
何伟
;
陈大鹏
;
明安杰
;
黄卓磊
;
欧毅
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/06/01
红外热成像
红外探测器
二极管 Soi
温度灵敏度
Ir
光学读出红外成像中反光板变形对光学检测灵敏度的影响
期刊论文
红外与毫米波学报, 2009, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 5,249-253
作者:
史海涛
;
钱剑
;
程腾
;
伍小平
;
高杰
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2010/06/01
非制冷红外成像
微悬臂梁阵列成像系统光学特性分析
期刊论文
四川大学学报:自然科学版, 2009, 期号: 4, 页码: 5,988-992
作者:
蒋文波
;
陈旺富
;
杨勇
;
周绍林
;
严伟
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/06/01
非制冷红外成像
光学读出
双材料微梁阵列
镍硅化物工艺新进展
期刊论文
微电子学, 2009, 卷号: 39, 期号: 6, 页码: 5,824-828
作者:
尚海平
;
徐秋霞
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/06/01
自对准硅化物
一硅化镍
Mosfet
Ir
先栅工艺中高K/双金属栅集成研究新进展
期刊论文
微电子学, 2009, 卷号: 39, 期号: 6, 页码: 6,829-834
作者:
李永亮
;
徐秋霞
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/06/01
高k材料
金属栅
费米能级钉扎效应 盖帽层
离子注入
功函数
利用半导体pn结结电容构成的沟道式电容器
期刊论文
电子元件与材料, 2009, 期号: 10, 页码: 4,11-14
作者:
万里兮
;
李宝霞
;
吕垚
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/06/01
半导体pn结
结电容
沟道电容 半导体工艺
电容器
系统级封装新型埋入式电源滤波结构的研究
期刊论文
电波科学学报, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 6,446-451
作者:
李君
;
周云燕
;
廖成
;
万里兮
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/06/01
系统级封装(sip)
电源完整性 信号完整性
电磁干扰
低通滤波器
硅深槽ICP刻蚀中刻蚀条件对形貌的影响
期刊论文
微电子学, 2009, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 4,729-732
作者:
万里兮
;
吕垚
;
李宝霞
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2010/06/01
Icp
硅刻蚀
深槽刻蚀
刻蚀形貌
刻蚀速率
选择比
现代通信系统不规则LDPC系统码字构造方法
期刊论文
国外电子测量技术, 2009
作者:
陆荣
;
吴斌
;
杨成恩
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2015/11/06
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