镍硅化物工艺新进展

	镍硅化物工艺新进展
	尚海平; 徐秋霞
刊名	微电子学
	2009
卷号	39 期号:6 页码:5，824-828
关键词	自对准硅化物一硅化镍 Mosfet Ir
ISSN号	1004-3365
其他题名	Latest Development of Ni Silicide Process
英文摘要	随着MOSFET器件的特征尺寸进入亚100nm，传统自对准硅化物材料，如TiSi2和Co—Si2，由于其硅化物形成工艺的高硅耗、高形成热预算和线宽效应等特点，已不能满足纳米尺寸器件对硅化物材料的要求，显现出其作为自对准硅化物材料的局限性。NiSi与传统自对准硅化物材料相比，不但具有硅化物形成工艺的低硅耗和低形成热预算，而且具有低电阻率，又不存在线宽效应。所以，NiSi作为纳米尺寸器件最有希望的自对准硅化物材料得到广泛的关注和研究。综合介绍了镍硅化物特性，一硅化镍薄膜形成工艺及其工艺控制问题。[著者文摘
语种	中文
公开日期	2010-06-01
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/2286]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
推荐引用方式 GB/T 7714	尚海平,徐秋霞. 镍硅化物工艺新进展[J]. 微电子学,2009,39(6):5，824-828.
APA	尚海平,&徐秋霞.(2009).镍硅化物工艺新进展.微电子学,39(6),5，824-828.
MLA	尚海平,et al."镍硅化物工艺新进展".微电子学 39.6(2009):5，824-828.