以SF6／C2H4为刻蚀气体，使用Corial200IL感应耦合等离子体（ICP）刻蚀系统，进行Si等离子刻蚀技术研究。通过调节刻蚀气体SF6与侧壁钝化保护气体C2H4的流量比和绝对值等工艺参数，对深Si刻蚀的形貌以及侧壁钻蚀情况进行改善，使该设备能够满足深硅刻蚀的基本要求，解决MEMS工艺及TSV工艺中的深硅刻蚀问题。实验结果表明，Corial200IL系统用SF6作等离子体刻蚀气体，对Si的刻蚀具有各向同性；C2H4作钝化气体，能够对刻蚀侧壁进行有效的保护，但由于C2H4的含量直接影响刻蚀速率和选择比，需对其含量及配比严格控制。研究结果为：SF6含量为40sccm、C2H4含量为15sccm时能够有效控制侧壁钻蚀，且具有较大的选择比，初步满足深硅槽刻蚀的条件。[著者文摘]