硅深槽ICP刻蚀中刻蚀条件对形貌的影响 | |
万里兮![]() ![]() | |
刊名 | 微电子学
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2009 | |
卷号 | 39期号:5页码:4,729-732 |
关键词 | Icp 硅刻蚀 深槽刻蚀 刻蚀形貌 刻蚀速率 选择比 |
ISSN号 | 1004-3365 |
其他题名 | Effects of Technical Parameters on Etching Rate and Selectivity of Si Deep Trench Using ICP Etching |
英文摘要 | 以SF6/C2H4为刻蚀气体,使用Corial200IL感应耦合等离子体(ICP)刻蚀系统,进行Si等离子刻蚀技术研究。通过调节刻蚀气体SF6与侧壁钝化保护气体C2H4的流量比和绝对值等工艺参数,对深Si刻蚀的形貌以及侧壁钻蚀情况进行改善,使该设备能够满足深硅刻蚀的基本要求,解决MEMS工艺及TSV工艺中的深硅刻蚀问题。实验结果表明,Corial200IL系统用SF6作等离子体刻蚀气体,对Si的刻蚀具有各向同性;C2H4作钝化气体,能够对刻蚀侧壁进行有效的保护,但由于C2H4的含量直接影响刻蚀速率和选择比,需对其含量及配比严格控制。研究结果为:SF6含量为40sccm、C2H4含量为15sccm时能够有效控制侧壁钻蚀,且具有较大的选择比,初步满足深硅槽刻蚀的条件。[著者文摘] |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-06-01 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/2278] ![]() |
专题 | 微电子研究所_系统封装与集成研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 万里兮,吕垚,李宝霞. 硅深槽ICP刻蚀中刻蚀条件对形貌的影响[J]. 微电子学,2009,39(5):4,729-732. |
APA | 万里兮,吕垚,&李宝霞.(2009).硅深槽ICP刻蚀中刻蚀条件对形貌的影响.微电子学,39(5),4,729-732. |
MLA | 万里兮,et al."硅深槽ICP刻蚀中刻蚀条件对形貌的影响".微电子学 39.5(2009):4,729-732. |
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