基于SOISi片的二极管红外探测器

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	基于SOISi片的二极管红外探测器
	何伟; 陈大鹏; 明安杰; 黄卓磊; 欧毅; 焦斌斌; 薛惠琼
刊名	微纳电子技术
	2009
卷号	46 期号:9 页码:5，525-529
关键词	红外热成像红外探测器二极管 Soi 温度灵敏度 Ir
ISSN号	1671-4776
其他题名	Diode Infrared Detectors Based on SOI Si Wafers
英文摘要	介绍了红外热成像技术的几种技术方案，重点介绍了以二极管作为红外探测器的非制冷红外热成像技术。通过理论分析和ISE-TCAD软件模拟、采用SOISi片流片和测试，分别得到了单晶Si二极管在固定偏置电流下的电压-温度响应特性，理论分析、模拟和实测结果三者吻合很好。在1μA的偏置电流下，单个二极管的温度灵敏度分别为1．40，1．35和1．52mV／K，三者的差别主要是由于理论分析和ISE-TCAD软件模拟中没有考虑欧姆接触电阻和引线电阻等串联电阻。[著者文摘]
语种	中文
公开日期	2010-06-01
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/2280]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	何伟,陈大鹏,明安杰,等. 基于SOISi片的二极管红外探测器[J]. 微纳电子技术,2009,46(9):5，525-529.
APA	何伟.,陈大鹏.,明安杰.,黄卓磊.,欧毅.,...&薛惠琼.(2009).基于SOISi片的二极管红外探测器.微纳电子技术,46(9),5，525-529.
MLA	何伟,et al."基于SOISi片的二极管红外探测器".微纳电子技术 46.9(2009):5，525-529.