利用半导体pn结结电容构成的沟道式电容器

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	利用半导体pn结结电容构成的沟道式电容器
	万里兮; 李宝霞; 吕垚
刊名	电子元件与材料
	2009
期号	10 页码:4，11-14
关键词	半导体pn结结电容沟道电容半导体工艺电容器
ISSN号	1001-2028
其他题名	Trench capacitors based on semiconductor pn junction capacitance
英文摘要	为满足对电子系统中元器件性能提升、面积减小、成本降低等需求，利用感应耦合等离子体刻蚀技术（ICP），对低阻P型硅采用刻蚀、扩散、磁控溅射A1电极等工艺，使之形成凹槽状三维结构，制造出一种特殊的具有高密度电容量的硅基电容器。其特点是结构简单，电容量大（电容密度可达2．2×10^-9F／mm^2），容值可调，与现有微电子工艺兼容，可用于200MHz至数GHz的退耦或其他场合。同时由于半导体pn结固有的特性，该电容器可取代传统的贴片电容广泛用于电子系统中的退耦、滤波、匹配、静电和电涌防护等场合。[著者文摘]
语种	中文
公开日期	2010-06-01
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/2274]
专题	微电子研究所_系统封装与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	万里兮,李宝霞,吕垚. 利用半导体pn结结电容构成的沟道式电容器[J]. 电子元件与材料,2009(10):4，11-14.
APA	万里兮,李宝霞,&吕垚.(2009).利用半导体pn结结电容构成的沟道式电容器.电子元件与材料(10),4，11-14.
MLA	万里兮,et al."利用半导体pn结结电容构成的沟道式电容器".电子元件与材料 .10(2009):4，11-14.