利用半导体pn结结电容构成的沟道式电容器 | |
万里兮![]() ![]() | |
刊名 | 电子元件与材料
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2009 | |
期号 | 10页码:4,11-14 |
关键词 | 半导体pn结 结电容 沟道电容 半导体工艺 电容器 |
ISSN号 | 1001-2028 |
其他题名 | Trench capacitors based on semiconductor pn junction capacitance |
英文摘要 | 为满足对电子系统中元器件性能提升、面积减小、成本降低等需求,利用感应耦合等离子体刻蚀技术(ICP),对低阻P型硅采用刻蚀、扩散、磁控溅射A1电极等工艺,使之形成凹槽状三维结构,制造出一种特殊的具有高密度电容量的硅基电容器。其特点是结构简单,电容量大(电容密度可达2.2×10^-9F/mm^2),容值可调,与现有微电子工艺兼容,可用于200MHz至数GHz的退耦或其他场合。同时由于半导体pn结固有的特性,该电容器可取代传统的贴片电容广泛用于电子系统中的退耦、滤波、匹配、静电和电涌防护等场合。[著者文摘] |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-06-01 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/2274] ![]() |
专题 | 微电子研究所_系统封装与集成研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 万里兮,李宝霞,吕垚. 利用半导体pn结结电容构成的沟道式电容器[J]. 电子元件与材料,2009(10):4,11-14. |
APA | 万里兮,李宝霞,&吕垚.(2009).利用半导体pn结结电容构成的沟道式电容器.电子元件与材料(10),4,11-14. |
MLA | 万里兮,et al."利用半导体pn结结电容构成的沟道式电容器".电子元件与材料 .10(2009):4,11-14. |
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