先栅工艺中高K／双金属栅集成研究新进展

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	先栅工艺中高K／双金属栅集成研究新进展
	李永亮; 徐秋霞
刊名	微电子学
	2009
卷号	39 期号:6 页码:6，829-834
关键词	高k材料金属栅费米能级钉扎效应盖帽层离子注入功函数
ISSN号	1004-3365
其他题名	Latest Development of Integration of High-k/Dual Metal Gate in Gate First Process
英文摘要	随着高K、金属栅材料引入到CMOS工艺，高K／双金属栅的集成已成为研究热点。利用多晶硅回刻和掺杂结合两步全硅化工艺的方案，可实现低功耗和高性能电路的高K与双FUSI金属栅的集成。采用淀积一刻蚀一再淀积、双高K双金属栅的集成方案，也可实现高K与双金属栅的集成。为缓解费米能级钉扎效应，通过盖帽层或离子注入技术对高K或金属栅掺杂，可得到具有带边功函数的高K／双金属栅集成。多晶硅／金属栅复合结构为高K与双金属栅的集成提供了更灵活的选择。[著者文摘]
语种	中文
公开日期	2010-06-01
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/2288]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
推荐引用方式 GB/T 7714	李永亮,徐秋霞. 先栅工艺中高K／双金属栅集成研究新进展[J]. 微电子学,2009,39(6):6，829-834.
APA	李永亮,&徐秋霞.(2009).先栅工艺中高K／双金属栅集成研究新进展.微电子学,39(6),6，829-834.
MLA	李永亮,et al."先栅工艺中高K／双金属栅集成研究新进展".微电子学 39.6(2009):6，829-834.