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| 三端原子开关器件及其制备方法 专利
专利号: CN201410828155.4, 申请日期: 2017-02-22, 公开日期: 2015-03-25
作者: 刘明 ; 刘琦; 龙世兵; 吕杭炳
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| IGBT感性负载关断下电压变化率的建模与仿真研究 期刊论文
物理学报, 2016
作者: 沈千行; 张广银; 杨飞; 腾渊; 田晓丽
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| 一种SOI MOS器件闪烁噪声的测试设备及测试方法 专利
专利号: CN201410031166.X, 申请日期: 2016-07-06, 公开日期: 2014-05-14
作者: 韩郑生; 曾传滨; 毕津顺; 卜建辉; 李书振
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| 一种制作纳米级图形的方法 专利
专利号: CN200710177797.2, 申请日期: 2011-12-07, 公开日期: 2009-05-27
作者: 欧毅; 傅剑宇; 陈大鹏; 景玉鹏; 叶甜春
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| 基于PNPN结构的SRAM电路及其读写方法 专利
申请日期: 2011-06-22,
作者: 童小东; 梁擎擎
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| 采用容性封装技术提高ESD防护性能研究 期刊论文
半导体技术, 2009, 卷号: 34, 期号: 9, 页码: 5，876-880
作者: 海潮和; 李多力; 韩郑生; 曾传滨; 李晶
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| 8W AlGaN/GaN HEMT功率器件的研制 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 3，1354-1356
作者: 刘果果; 郑英奎; 魏珂; 李诚瞻; 刘新宇
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| 一种消除X波段低噪声放大器低频振荡的方法 期刊论文
电子器件, 2007, 期号: 2
作者: 黄清华; 郝明丽; 刘训春; 王宇晨
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