| 基于PNPN结构的SRAM电路及其读写方法 | |
| 童小东; 梁擎擎 | |
| 2011-06-22 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种基于PNPN结构的SRAM电路，包括多条位线、多条字线、分别与每一条位线以及每一条字线相连的多个存储器单元、串联在每一条位线输入端的多个电位控制器件、串联在每一条位线输出端的多个反相器，其特征在于，存储器单元为PNPN二极管结构的双端器件。本发明的基于PNPN结构的SRAM，由于采取PNPN二极管作为存储器单元，占用面积小、功耗低，有利于SRAM的大规模集成及电路整体性能的提高。由于PNPN二极管独特的反转特性，控制两端电压差就能方便改写存储器单元存储的逻辑值，SRAM写入操作快、错误率低。此外，由于在位线输入端连接有电阻或MOSFET，输出端连接有反相器，SRAM电路读取速度快。 |
| 状态 | 公开 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/15627]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 童小东,梁擎擎. 基于PNPN结构的SRAM电路及其读写方法. 2011-06-22. |
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