一种SOI MOS器件闪烁噪声的测试设备及测试方法

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	一种SOI MOS器件闪烁噪声的测试设备及测试方法
	韩郑生; 曾传滨; 毕津顺; 卜建辉; 李书振; 罗家俊
	2016-07-06
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201410031166.X
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明提供了一种闪烁噪声的测试方法，包括以下步骤：测试待测器件的输出特性；将器件的漏极连接到低噪声电流放大器的输入端；将低噪声电压放大器和信号分析仪的采样模式设置为直流模式；打开低噪声电流放大器的电压源，为漏端提供偏置；时域采样；然后将低噪声电压放大器和信号分析仪的采样模式设置为交流模式；调节低噪声电压放大器的放大倍率使低噪声电压放大器的输出达到最大值；频域采样，读取数据；改变漏端电压，重复上述步骤。根据本发明的另一个方面，还提供了一种闪烁噪声的测试设备。
公开日期	2014-05-14
申请日期	2014-01-23
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/16451]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	韩郑生,曾传滨,毕津顺,等. 一种SOI MOS器件闪烁噪声的测试设备及测试方法. CN201410031166.X. 2016-07-06.