一种制作纳米级图形的方法 | |
欧毅![]() ![]() ![]() ![]() ![]() | |
2011-12-07 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN200710177797.2 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明公开了一种制作纳米级图形的方法,该纳米级图形是将图形数 据转化成二进制信号控制微动台二维x-y方向的运动和金属尖端电压的加 载,利用尖端加载电压后产生的电子束对电子抗蚀剂进行曝光获得的,包 括:在样品表面涂上一层电致抗蚀剂薄膜,在微动台上固定金属微尖端; 将涂有电致抗蚀剂薄膜的样品加载到微动台上,与微尖端保持一定的距 离;将装载有金属尖端和样品的微动台放置到真空腔体中,并利用真空泵 对腔体抽真空;利用软件编程将被加工图形数据转换成二进制信号,用该 二进制码控制微动台做二维x-y方向的运动,并给金属微尖端加载电压, 通过在强电场下尖端发射的低能电子束对电子抗蚀剂进行曝光;对曝光后 的样品进行显影、定影。本发明有效地解决了浸没式光刻成本高和聚焦电 子束存在邻近效应影响分辨率的问题。 |
公开日期 | 2009-05-27 |
申请日期 | 2007-11-21 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/7758] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 欧毅,傅剑宇,陈大鹏,等. 一种制作纳米级图形的方法. CN200710177797.2. 2011-12-07. |
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