8W AlGaN/GaN HEMT功率器件的研制

	8W AlGaN/GaN HEMT功率器件的研制
	刘果果; 郑英奎; 魏珂; 李诚瞻; 刘新宇; 和致经
刊名	半导体学报
	2008
卷号	29 期号:7 页码:3，1354-1356
关键词	氮化镓高电子迁移率晶体管微波功率栅场板
ISSN号	0253-4178
英文摘要	报道了基于国产衬底以及国产外延的AlGaN/GaN HEMTX波段功率器件的研究进展.利用国产衬底以及外延材料,优化了器件栅场板的结构,研制成功栅长0.35μm,栅宽为1mm的微波功率器件.该器件输出电流密度达到0.83A/mm,击穿电压大于100V,跨导为236mS/mm,截止频率（fT）达到30GHz,最大振荡频率（fmax）为32GHz,8GHz下在片进行连续波测试,漏端电压为40V时测试得到功率增益4.9dB,输出功率达8W,功率附加效率（PAE）为45%.
语种	中文
公开日期	2010-05-27
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1882]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘果果,郑英奎,魏珂,等. 8W AlGaN/GaN HEMT功率器件的研制[J]. 半导体学报,2008,29(7):3，1354-1356.
APA	刘果果,郑英奎,魏珂,李诚瞻,刘新宇,&和致经.(2008).8W AlGaN/GaN HEMT功率器件的研制.半导体学报,29(7),3，1354-1356.
MLA	刘果果,et al."8W AlGaN/GaN HEMT功率器件的研制".半导体学报 29.7(2008):3，1354-1356.