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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210293525.X, 申请日期: 2018-09-14, 公开日期: 2014-02-19
作者: 马小龙; 殷华湘 ; 付作振
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| 一种MOSFET结构及其制造方法 专利
专利号: CN201310477078.8, 申请日期: 2018-06-19, 公开日期: 2015-04-29
作者: 尹海洲
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| 隧穿场效应晶体管及其制造方法 专利
专利号: CN201310315051.9, 申请日期: 2018-01-30, 公开日期: 2015-02-11
作者: 朱正勇; 朱慧珑; 许淼
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210067773.2, 申请日期: 2016-08-10, 公开日期: 2013-09-18
作者: 赵超; 殷华湘; 陈大鹏
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201110215096.X, 申请日期: 2016-03-30, 公开日期: 2013-01-30
作者: 陈大鹏; 徐秋霞; 殷华湘
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| 一种非易失性存储器及其制备方法 专利
专利号: CN201210026223.6, 申请日期: 2015-12-02, 公开日期: 2013-08-14
作者: 谢常青; 霍宗亮; 朱晨昕; 许中广; 刘明
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| 固态孔阵及其制作方法 专利
专利号: CN201210226670.6, 申请日期: 2015-11-11, 公开日期: 2014-01-15
作者: 董立军; 赵超
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201110339415.8, 申请日期: 2015-09-09, 公开日期: 2013-05-08
作者: 殷华湘; 罗军; 赵超; 刘洪刚; 陈大鹏
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| 一种凹槽式的硅纳米晶存储器及其制作方法 专利
专利号: CN201310224594.X, 申请日期: 2015-07-15, 公开日期: 2013-09-11
作者: 刘明; 霍宗亮; 刘璟; 张满红; 张康玮
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| 一种多值非挥发存储器及其制备方法 专利
专利号: CN201110067070.5, 申请日期: 2015-04-15, 公开日期: 2012-09-26
作者: 龙世兵; 朱晨昕; 李冬梅; 刘明; 许中广
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