本发明提供了一种遂穿场效应晶体管，衬底，衬底上具有鳍，所述鳍具有相对的第一侧面、第二侧面以及相对的第三侧面、第四侧面；分别形成于第一侧面和第二侧面上的第一栅介质层和第二栅介质层；形成于衬底上、分别与第一栅介质层和第二栅介质层相接的第一栅极和第二栅极；形成于衬底上、分别与第三侧面、第四侧面相接的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区具有不同的掺杂类型。本发明通过鳍沟道区的宽度来控制遂穿结的宽窄，并具有更大的有效遂穿面积，因此可提高导通电流。同时，本发明的晶体管结构，其遂穿发生于半导体层中，即沟道中，由于隧穿层是非掺杂或低掺杂的，因此可降低漏电流，从而改善器件的亚阈值特性。此外，由于采用双栅控制，因此能更好控制双极导通特性，实现器件关断。