半导体器件及其制造方法

	半导体器件及其制造方法
	陈大鹏; 徐秋霞; 殷华湘
	2016-03-30
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201110215096.X
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	一种半导体器件的制造方法，包括在第一半导体材料的半导体衬底上依次形成遂穿介质层、存储介质层、栅介质层和栅极层。对遂穿介质层、存储介质层、栅介质层和栅极层进行图案化以形成栅极叠置体。在栅极叠置体两侧的半导体衬底中形成凹槽。在凹槽中填充不同于第一半导体材料的第二半导体材料，同时整个器件覆盖介质层。通过第二半导体材料与覆盖介质层产生的应力是沟道中表面能级变化，提高隧穿电流，改善器件存储效果。
公开日期	2013-01-30
申请日期	2011-07-29
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/16767]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陈大鹏,徐秋霞,殷华湘. 半导体器件及其制造方法. CN201110215096.X. 2016-03-30.