半导体器件及其制造方法

	半导体器件及其制造方法
	赵超; 殷华湘; 陈大鹏
	2016-08-10
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201210067773.2
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底上的多个栅极堆叠结构、每个栅极堆叠结构两侧衬底中的多个源漏区、衬底上的层间介质层，其特征在于：源漏区沿第一方向分布，栅极堆叠结构沿垂直于第一方向的第二方向延伸，并且栅极堆叠结构进一步包括，隧穿介质层、存储介质层、栅极层间电介质层以及控制栅。依照本发明的半导体器件及其制造方法，采用后栅工艺形成存储器的栅极结构，有效保护了超薄的栅极不受后续工艺影响，提高了器件的可靠性并降低了P/E电压。
公开日期	2013-09-18
申请日期	2012-03-14
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/16723]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	赵超,殷华湘,陈大鹏. 半导体器件及其制造方法. CN201210067773.2. 2016-08-10.