×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
北京大学 [9]
内容类型
期刊论文 [9]
发表日期
2015 [1]
2002 [1]
2001 [2]
1997 [1]
1996 [2]
1993 [2]
更多...
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共9条,第1-9条
帮助
限定条件
专题:北京大学
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
基于遗传算法的功能覆盖率收敛技术
期刊论文
浙江大学学报(工学版), 2015
高史义
;
罗小华
;
卢宇峰
;
刘富春
;
张晨秋
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2017/12/03
遗传算法
功能覆盖率
快速收敛
比例选择算子
均匀交叉算子
二元变异算子
genetic algorithm
functional coverage
rapid convergence
proportional selection operator
uniform crossover operator
binary mutation operator
适用于数模混合集成的SOI MOSFET的失真分析
期刊论文
电子学报, 2002
张国艳
;
廖怀林
;
黄如
;
张兴
;
王阳元
;
Mansun CHAN
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/10/23
失真分析
幂级数方法
失真模型
SOI MOSFET
全耗尽SOI MOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型
期刊论文
电子学报, 2001
万新恒
;
张兴
;
谭静荣
;
高文钰
;
黄如
;
王阳元
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2015/10/23
SOI MOSFET
辐照效应
阈值电压漂移模型
剂量率
一个适用于模拟电路的深亚微米SOI MOSFET器件模型
期刊论文
半导体学报, 2001
廖怀林
;
张兴
;
黄如
;
王阳元
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/11/11
器件模型
深亚微米器件
模拟电路
SOI MOSFET
薄膜深亚微米SOI MOSFET的瞬态数值模拟
期刊论文
半导体学报, 1997
张兴
;
王阳元
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2015/10/23
深亚微米
瞬态
数值模拟
交替方向
计算效率
连续方程
电路模拟
数值模型
器件模型
SOI MOSFET
专用集成电路会议概述
期刊论文
国际学术动态, 1996
莫邦燹
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2015/10/23
专用集成电路
射频滤波器
低功耗设计技术
数字电路
深亚微米
通信电路
逻辑块
专题内容
圣迭戈
可编程逻辑阵列
适于器件及电路分析的全耗尽短沟道LDD/LDS SOI MOSFET器件模型
期刊论文
电子学报, 1996
奚雪梅
;
王阳元
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2015/11/11
LDD/LDS结构
SOI-MOSFET器件模型
薄膜全耗尽SOI短沟道MOSFET准二维电流模型
期刊论文
电子学报, 1993
程玉华
;
王阳元
收藏
  |  
浏览/下载:0/0
  |  
提交时间:2015/10/23
SOI技术
薄膜SOI器件
短沟道器件模型
VLSI电路CAD
短沟道薄膜全耗尽SOI/MOSFET's大信号电容模型
期刊论文
半导体学报, 1993
程玉华
;
王阳元
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2015/11/13
SOI/MOSFET&apos
SPICE
器件模拟
饱和效应
电容值
层电荷
热载流子
参数提取
体硅
器件特性
s
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace