CORC

浏览/检索结果: 共9条,第1-9条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
基于遗传算法的功能覆盖率收敛技术 期刊论文
浙江大学学报(工学版), 2015
高史义; 罗小华; 卢宇峰; 刘富春; 张晨秋
收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2017/12/03
适用于数模混合集成的SOI MOSFET的失真分析 期刊论文
电子学报, 2002
张国艳; 廖怀林; 黄如; 张兴; 王阳元; Mansun CHAN
收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2015/10/23
全耗尽SOI MOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型 期刊论文
电子学报, 2001
万新恒; 张兴; 谭静荣; 高文钰; 黄如; 王阳元
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2015/10/23
一个适用于模拟电路的深亚微米SOI MOSFET器件模型 期刊论文
半导体学报, 2001
廖怀林; 张兴; 黄如; 王阳元
收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2015/11/11
薄膜深亚微米SOI MOSFET的瞬态数值模拟 期刊论文
半导体学报, 1997
张兴; 王阳元
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2015/10/23
专用集成电路会议概述 期刊论文
国际学术动态, 1996
莫邦燹
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2015/10/23
适于器件及电路分析的全耗尽短沟道LDD/LDS SOI MOSFET器件模型 期刊论文
电子学报, 1996
奚雪梅; 王阳元
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2015/11/11
薄膜全耗尽SOI短沟道MOSFET准二维电流模型 期刊论文
电子学报, 1993
程玉华; 王阳元
收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2015/10/23
短沟道薄膜全耗尽SOI/MOSFET's大信号电容模型 期刊论文
半导体学报, 1993
程玉华; 王阳元
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2015/11/13


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace