薄膜全耗尽SOI短沟道MOSFET准二维电流模型

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	薄膜全耗尽SOI短沟道MOSFET准二维电流模型
	程玉华 ; 王阳元
刊名	电子学报
	1993
关键词	SOI技术薄膜SOI器件短沟道器件模型 VLSI电路CAD
英文摘要	本文在分析薄膜全耗尽SOI器件特殊物理效应的基础上,建立了可细致处理饱和区工作特性的准二维电流模型。该模型包括了场效应载流子迁移率、速度饱和以及短沟道效应等物理效应,可以描述薄膜全耗尽SOI器件所特有的膜厚效应、正背栅耦合(背栅效应)等对器件特性的影响,并且保证了电流、电导及其导数在饱和点的连续性。将模型模拟计算结果与二维器件数值模拟结果进行了对比,在整个工作区域(不考虑载流子碰撞离化的情况下)二者吻合得很好。; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 11; 24-30
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/23621]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	程玉华,王阳元. 薄膜全耗尽SOI短沟道MOSFET准二维电流模型[J]. 电子学报,1993.
APA	程玉华,&王阳元.(1993).薄膜全耗尽SOI短沟道MOSFET准二维电流模型.电子学报.
MLA	程玉华,et al."薄膜全耗尽SOI短沟道MOSFET准二维电流模型".电子学报 (1993).