短沟道薄膜全耗尽SOI/MOSFET's大信号电容模型 | |
程玉华 ; 王阳元 | |
刊名 | 半导体学报
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1993 | |
关键词 | SOI/MOSFET&apos SPICE 器件模拟 饱和效应 电容值 层电荷 热载流子 参数提取 体硅 器件特性 s |
英文摘要 | 本文提出适用于短沟道薄膜全耗尽SOI器件的大信号电容模型。该模型除考虑了SOI短沟道器件中出现的速度饱和效应、DIBL效应及源漏耗尽层电荷分享效应外,还包括了SOI器件中特有的膜厚效应、正背栅耦合效应等对电容特性的影响。通过与体硅器件的二维模拟和实测电容特性以及已报道的薄膜SOI器件电容模型相比较可知,本文模型可较好地描述短沟道SOI器件的电容特性。另外,所建电容模型形式简洁,参数提取方便,因而可做为薄膜全耗尽SOI器件大信号电容模型移植到电路模拟程序(如SPICE)之中。; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 05; 278-285 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/292395] ![]() |
专题 | 信息科学技术学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 程玉华,王阳元. 短沟道薄膜全耗尽SOI/MOSFET's大信号电容模型[J]. 半导体学报,1993. |
APA | 程玉华,&王阳元.(1993).短沟道薄膜全耗尽SOI/MOSFET's大信号电容模型.半导体学报. |
MLA | 程玉华,et al."短沟道薄膜全耗尽SOI/MOSFET's大信号电容模型".半导体学报 (1993). |
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