短沟道薄膜全耗尽SOI/MOSFET&apos;s大信号电容模型

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	短沟道薄膜全耗尽SOI/MOSFET's大信号电容模型
	程玉华 ; 王阳元
刊名	半导体学报
	1993
关键词	SOI/MOSFET&apos SPICE 器件模拟饱和效应电容值层电荷热载流子参数提取体硅器件特性 s
英文摘要	本文提出适用于短沟道薄膜全耗尽SOI器件的大信号电容模型。该模型除考虑了SOI短沟道器件中出现的速度饱和效应、DIBL效应及源漏耗尽层电荷分享效应外,还包括了SOI器件中特有的膜厚效应、正背栅耦合效应等对电容特性的影响。通过与体硅器件的二维模拟和实测电容特性以及已报道的薄膜SOI器件电容模型相比较可知,本文模型可较好地描述短沟道SOI器件的电容特性。另外,所建电容模型形式简洁,参数提取方便,因而可做为薄膜全耗尽SOI器件大信号电容模型移植到电路模拟程序(如SPICE)之中。; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 05; 278-285
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/292395]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	程玉华,王阳元. 短沟道薄膜全耗尽SOI/MOSFET's大信号电容模型[J]. 半导体学报,1993.
APA	程玉华,&王阳元.(1993).短沟道薄膜全耗尽SOI/MOSFET's大信号电容模型.半导体学报.
MLA	程玉华,et al."短沟道薄膜全耗尽SOI/MOSFET's大信号电容模型".半导体学报 (1993).