全耗尽SOI MOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型

doi:10.3321/j.issn:0372-2112.2001.11.020

CORC > 北京大学 > 信息科学技术学院

	全耗尽SOI MOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型; A New Threshold Voltage Shift Model Due to Radiation in Fully-Depleted SOI MOSFET
	万新恒 ; 张兴 ; 谭静荣 ; 高文钰 ; 黄如 ; 王阳元
刊名	电子学报
	2001
关键词	SOI MOSFET 辐照效应阈值电压漂移模型剂量率
DOI	10.3321/j.issn:0372-2112.2001.11.020
英文摘要	报道了全耗尽SOI MOSFET器件阈值电压漂移与辐照剂量和辐照剂量率之间的解析关系.模型计算结果与实验吻合较好.该模型物理意义明确,参数提取方便,适合于低辐照总剂量条件下的加固SOI器件与电路的模拟.讨论了抑制阈值电压漂移的方法.结果表明,对于全耗尽SOI加固工艺,辐照导致的埋氧层(BOX)氧化物电荷对前栅的耦合是影响前栅阈值电压漂移的主要因素,但减薄埋氧层厚度并不能明显提高SOI MOSFET的抗辐照性能.; 高等学校博士学科点专项科研项目; 国家重点基础研究发展计划(973计划); 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 11; 1519-1521; 29
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/24318]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	万新恒,张兴,谭静荣,等. 全耗尽SOI MOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型, A New Threshold Voltage Shift Model Due to Radiation in Fully-Depleted SOI MOSFET[J]. 电子学报,2001.
APA	万新恒,张兴,谭静荣,高文钰,黄如,&王阳元.(2001).全耗尽SOI MOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型.电子学报.
MLA	万新恒,et al."全耗尽SOI MOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型".电子学报 (2001).