全耗尽SOI MOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型; A New Threshold Voltage Shift Model Due to Radiation in Fully-Depleted SOI MOSFET | |
万新恒 ; 张兴 ; 谭静荣 ; 高文钰 ; 黄如 ; 王阳元 | |
刊名 | 电子学报
![]() |
2001 | |
关键词 | SOI MOSFET 辐照效应 阈值电压漂移模型 剂量率 |
DOI | 10.3321/j.issn:0372-2112.2001.11.020 |
英文摘要 | 报道了全耗尽SOI MOSFET器件阈值电压漂移与辐照剂量和辐照剂量率之间的解析关系.模型计算结果与实验吻合较好.该模型物理意义明确,参数提取方便,适合于低辐照总剂量条件下的加固SOI器件与电路的模拟.讨论了抑制阈值电压漂移的方法.结果表明,对于全耗尽SOI加固工艺,辐照导致的埋氧层(BOX)氧化物电荷对前栅的耦合是影响前栅阈值电压漂移的主要因素,但减薄埋氧层厚度并不能明显提高SOI MOSFET的抗辐照性能.; 高等学校博士学科点专项科研项目; 国家重点基础研究发展计划(973计划); 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 11; 1519-1521; 29 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/24318] ![]() |
专题 | 信息科学技术学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 万新恒,张兴,谭静荣,等. 全耗尽SOI MOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型, A New Threshold Voltage Shift Model Due to Radiation in Fully-Depleted SOI MOSFET[J]. 电子学报,2001. |
APA | 万新恒,张兴,谭静荣,高文钰,黄如,&王阳元.(2001).全耗尽SOI MOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型.电子学报. |
MLA | 万新恒,et al."全耗尽SOI MOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型".电子学报 (2001). |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论