薄膜深亚微米SOI MOSFET的瞬态数值模拟 | |
张兴 ; 王阳元 | |
刊名 | 半导体学报
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1997 | |
关键词 | 深亚微米 瞬态 数值模拟 交替方向 计算效率 连续方程 电路模拟 数值模型 器件模型 SOI MOSFET |
英文摘要 | 采用数值模型成功地实现了薄膜深亚微米SOIMOSFET的瞬态数值模拟.为了提高模拟软件的计算效率和收敛速度,采用交替方向格式对载流子连续方程进行数值求解,得到了较为理想的模拟结果.通过大量的模拟计算,较为详细地分析了薄膜深亚微米全耗尽SOIMOSFET的瞬态工作机理,为今后小尺寸CMOS/SOIVLSI电路的设计提供了理论基础.; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 01; 36-41 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/23732] ![]() |
专题 | 信息科学技术学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张兴,王阳元. 薄膜深亚微米SOI MOSFET的瞬态数值模拟[J]. 半导体学报,1997. |
APA | 张兴,&王阳元.(1997).薄膜深亚微米SOI MOSFET的瞬态数值模拟.半导体学报. |
MLA | 张兴,et al."薄膜深亚微米SOI MOSFET的瞬态数值模拟".半导体学报 (1997). |
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