薄膜深亚微米SOI MOSFET的瞬态数值模拟

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	薄膜深亚微米SOI MOSFET的瞬态数值模拟
	张兴 ; 王阳元
刊名	半导体学报
	1997
关键词	深亚微米瞬态数值模拟交替方向计算效率连续方程电路模拟数值模型器件模型 SOI MOSFET
英文摘要	采用数值模型成功地实现了薄膜深亚微米SOIMOSFET的瞬态数值模拟．为了提高模拟软件的计算效率和收敛速度，采用交替方向格式对载流子连续方程进行数值求解，得到了较为理想的模拟结果．通过大量的模拟计算，较为详细地分析了薄膜深亚微米全耗尽SOIMOSFET的瞬态工作机理，为今后小尺寸CMOS／SOIVLSI电路的设计提供了理论基础．; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 01; 36-41
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/23732]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	张兴,王阳元. 薄膜深亚微米SOI MOSFET的瞬态数值模拟[J]. 半导体学报,1997.
APA	张兴,&王阳元.(1997).薄膜深亚微米SOI MOSFET的瞬态数值模拟.半导体学报.
MLA	张兴,et al."薄膜深亚微米SOI MOSFET的瞬态数值模拟".半导体学报 (1997).