适用于数模混合集成的SOI MOSFET的失真分析; The Distortion Analysis of SOI MOSFET for Mixed Mode Integrated Circuit Application | |
张国艳 ; 廖怀林 ; 黄如 ; 张兴 ; 王阳元 ; Mansun CHAN | |
刊名 | 电子学报
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2002 | |
关键词 | 失真分析 幂级数方法 失真模型 SOI MOSFET |
DOI | 10.3321/j.issn:0372-2112.2002.02.021 |
英文摘要 | 本文较为详细地分析了SOI MOSFET的失真行为.利用幂级数方法对不同结构包括部分耗尽PD、全耗尽FD和体接触BC的SOI器件的谐波失真进行了对比性的实验研究.同时,在实验分析的基础上提出了描述失真行为的连续的SOI MOSFET失真模型.该模型通过引入平滑函数和主要的影响失真的物理机制,使得模拟计算结果能够与实验结果较好的吻合.本文所得到的结果可用于低失真的数模混合电路的设计,并对低失真电路的优化提供指导方向.; 国家自然科学基金; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 2; 232-235; 30 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/23811] ![]() |
专题 | 信息科学技术学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张国艳,廖怀林,黄如,等. 适用于数模混合集成的SOI MOSFET的失真分析, The Distortion Analysis of SOI MOSFET for Mixed Mode Integrated Circuit Application[J]. 电子学报,2002. |
APA | 张国艳,廖怀林,黄如,张兴,王阳元,&Mansun CHAN.(2002).适用于数模混合集成的SOI MOSFET的失真分析.电子学报. |
MLA | 张国艳,et al."适用于数模混合集成的SOI MOSFET的失真分析".电子学报 (2002). |
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