适用于数模混合集成的SOI MOSFET的失真分析

doi:10.3321/j.issn:0372-2112.2002.02.021

CORC > 北京大学 > 信息科学技术学院

	适用于数模混合集成的SOI MOSFET的失真分析; The Distortion Analysis of SOI MOSFET for Mixed Mode Integrated Circuit Application
	张国艳 ; 廖怀林 ; 黄如 ; 张兴 ; 王阳元 ; Mansun CHAN
刊名	电子学报
	2002
关键词	失真分析幂级数方法失真模型 SOI MOSFET
DOI	10.3321/j.issn:0372-2112.2002.02.021
英文摘要	本文较为详细地分析了SOI MOSFET的失真行为.利用幂级数方法对不同结构包括部分耗尽PD、全耗尽FD和体接触BC的SOI器件的谐波失真进行了对比性的实验研究.同时,在实验分析的基础上提出了描述失真行为的连续的SOI MOSFET失真模型.该模型通过引入平滑函数和主要的影响失真的物理机制,使得模拟计算结果能够与实验结果较好的吻合.本文所得到的结果可用于低失真的数模混合电路的设计,并对低失真电路的优化提供指导方向.; 国家自然科学基金; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 2; 232-235; 30
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/23811]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	张国艳,廖怀林,黄如,等. 适用于数模混合集成的SOI MOSFET的失真分析, The Distortion Analysis of SOI MOSFET for Mixed Mode Integrated Circuit Application[J]. 电子学报,2002.
APA	张国艳,廖怀林,黄如,张兴,王阳元,&Mansun CHAN.(2002).适用于数模混合集成的SOI MOSFET的失真分析.电子学报.
MLA	张国艳,et al."适用于数模混合集成的SOI MOSFET的失真分析".电子学报 (2002).