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超薄SiO2软击穿后I-V特性的饱和性质 期刊论文
半导体学报, 2006
许铭真; 谭长华; 段小蓉
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硅衬底注氮方法制备超薄SiO2栅介质 期刊论文
半导体学报, 2005
许晓燕; 程行之; 黄如; 张兴
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超薄栅氧化层n-MOSFET软击穿后的导电机制 期刊论文
物理学报, 2005
王彦刚; 许铭真; 谭长华; 段小蓉
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HfO2高K栅介质薄膜的电学特性研究 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2004
韩德栋; 康晋锋; 刘晓彦; 韩汝琦
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多晶硅注氮制备4.6nm超薄栅介质 期刊论文
半导体学报, 2004
谭静荣; 许晓燕; 黄如; 程行之; 张兴
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/12
超薄SiO2栅介质厚度提取与分析 期刊论文
半导体学报, 2004
谭静荣; 许晓燕; 黄如; 程行之; 张兴
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氮注入多晶硅栅对超薄SiO2栅介质性能的影响 期刊论文
半导体学报, 2003
许晓燕; 谭静荣; 黄如; 张兴
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3.4nm超薄SiO2栅介质的特性 期刊论文
电子学报, 2002
许晓燕; 谭静荣; 高文钰; 黄如; 田大宇; 张兴
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3-6nm超薄SiO2栅介质的特性 期刊论文
半导体学报, 2001
高文钰; 张兴; 田大宇; 张大成; 王阳元
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