氮注入多晶硅栅对超薄SiO2栅介质性能的影响

doi:10.3321/j.issn:0253-4177.2003.01.016

CORC > 北京大学 > 信息科学技术学院

	氮注入多晶硅栅对超薄SiO2栅介质性能的影响; Effects of Nitrogen Implantation into Gate Electrode on Characteristics of Ultra-Thin Gate Oxide
	许晓燕 ; 谭静荣 ; 黄如 ; 张兴
刊名	半导体学报
	2003
关键词	栅介质氮注入硼扩散
DOI	10.3321/j.issn:0253-4177.2003.01.016
英文摘要	p+多晶硅栅中的硼在SiO2栅介质中的扩散会引起栅介质可靠性退化,在多晶硅栅内注入N+的工艺可抑制硼扩散.制备出栅介质厚度为4.6nm的p+栅MOS电容,通过SIMS测试分析和I-V、C-V特性及电应力下击穿特性的测试,观察了多晶硅栅中注N+工艺对栅介质性能的影响.实验结果表明:在多晶硅栅中注入氮可以有效抑制硼扩散,降低了低场漏电和平带电压的漂移,改善了栅介质的击穿性能,但同时使多晶硅耗尽效应增强、方块电阻增大,需要折衷优化设计.; 国家自然科学基金; 国家重点基础研究发展计划(973计划); 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 1; 76-79; 24
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/186014]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	许晓燕,谭静荣,黄如,等. 氮注入多晶硅栅对超薄SiO2栅介质性能的影响, Effects of Nitrogen Implantation into Gate Electrode on Characteristics of Ultra-Thin Gate Oxide[J]. 半导体学报,2003.
APA	许晓燕,谭静荣,黄如,&张兴.(2003).氮注入多晶硅栅对超薄SiO2栅介质性能的影响.半导体学报.
MLA	许晓燕,et al."氮注入多晶硅栅对超薄SiO2栅介质性能的影响".半导体学报 (2003).