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科研机构
西安光学精密机械研... [17]
内容类型
专利 [17]
发表日期
2011 [2]
2005 [1]
2002 [1]
1999 [1]
1993 [1]
1986 [3]
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Vertical cavity surface emitting laser diode (VCSEL) with enhanced emitting efficiency
专利
专利号: US7953135, 申请日期: 2011-05-31, 公开日期: 2011-05-31
作者:
ONISHI, YUTAKA
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/26
Vertical cavity surface emitting laser diode (VCSEL) with enhanced emitting efficiency
专利
专利号: US7953135, 申请日期: 2011-05-31, 公开日期: 2011-05-31
作者:
ONISHI, YUTAKA
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/26
Low-dimensional plasmon light emitting device
专利
专利号: US6946674, 申请日期: 2005-09-20, 公开日期: 2005-09-20
作者:
NAGAO, TADAAKI
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/26
Hybrid narrow -linewidth semiconductor lasers
专利
专利号: US20020037025A1, 申请日期: 2002-03-28, 公开日期: 2002-03-28
作者:
BARTMAN, RANDALL K.
;
KSENDZOV, ALEXANDER
;
DUBOVITSKY, SERGE
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/31
Non-regrowth distributed feedback ridge semiconductor laser and method of manufacturing the same
专利
专利号: US5982804, 申请日期: 1999-11-09, 公开日期: 1999-11-09
作者:
CHEN, NONG
;
WATANABE, YOSHIAKI
;
TAKEI, KOYOSHI
;
CHIKUMA, KIYOFUMI
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/26
A distributed feedback semiconductor laser device
专利
专利号: EP0274441B1, 申请日期: 1993-04-21, 公开日期: 1993-04-21
作者:
KUDO, HIROAKI
;
TAKIGUCHI, HARUHISA
;
KANEIWA, SHINJI
;
YOSHIDA, TOSHIHIKO
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/12/24
Semiconductor laser
专利
专利号: JP1986242090A, 申请日期: 1986-10-28, 公开日期: 1986-10-28
作者:
OGURA MOTOTSUGU
;
UNO TOMOAKI
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2020/01/13
Quantum well laser
专利
专利号: JP1986220492A, 申请日期: 1986-09-30, 公开日期: 1986-09-30
作者:
SUGIMOTO MITSUNORI
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor light-emitting device
专利
专利号: JP1986125186A, 申请日期: 1986-06-12, 公开日期: 1986-06-12
作者:
SODA HARUHISA
;
WAKAO KIYOHIDE
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser element
专利
专利号: JP1984139692A, 申请日期: 1984-08-10, 公开日期: 1984-08-10
作者:
FUKUZAWA TADASHI
;
DOI KOUNEN
;
NAKAMURA MICHIHARU
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提交时间:2020/01/13
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