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| 一种等离子体辅助磁控溅射沉积方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201210358823.2, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2014-03-26
李刚; 孙龙; 金玉奇
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| 一种III-V族半导体镍金属化制造方法 专利
申请日期: 2011-12-20, 公开日期: 2012-11-20
作者: 刘洪刚; 王虹; 卢力; 常虎东; 孙兵
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| 锗衬底上制备金属-氧化物-半导体场效应晶体管方法 专利
申请日期: 2011-04-12,
作者: 胡爱斌; 许高博; 徐秋霞
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| 微电子封装中焊料凸点连接金属化层及应用 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2009-05-06, 公开日期: 2009-05-06
祝清省, 郭建军, 张新房, 张磊, 郭敬东 and 尚建库
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| 一种在锗衬底上制备金属-氧化物-半导体电容的方法 专利
申请日期: 2009-02-09, 公开日期: 2016-03-18
作者: 胡爱斌; 徐秋霞
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| 一种纳米尺度W/TiN复合难熔金属栅制备方法 专利
专利号: CN101217112, 申请日期: 2007-01-04, 公开日期: 2008-07-09, 2010-11-26
作者: 李瑞钊; 徐秋霞
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| 壳聚糖硫酸酯金属配合物及其制备方法 专利
专利号: ZL200410050352.4, 申请日期: 2006-11-08, 公开日期: 2011-07-15
作者: 李鹏程 ; 刘松; 邢荣娥; 于华华; 郭占勇
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| 一种适用于纳米器件制造的硅化物工艺 专利
专利号: CN1754860, 申请日期: 2004-09-29, 公开日期: 2006-04-05, 2010-11-26
作者: 柴淑敏; 徐秋霞; 王大海
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| 用于MOS器件的金属栅极结构及其制作方法 专利
专利号: CN200910303980.1, 公开日期: 2009-12-09
作者: 陈大鹏; 王文武; 陈世杰
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