| 一种III-V族半导体镍金属化制造方法 | |
| 刘洪刚; 王虹; 卢力; 常虎东; 孙兵 | |
| 2011-12-20 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本专利提供一种III-V族半导体Ni金属化制造方法，通过在金属Ni下面插入一层阻挡层，调控Ni与III-V族半导体反应速率，提高腐蚀液对Ni与Ni合金层的选择比。本专利可以在不增加方阻的前提下改善源漏Ni金属表面形貌，最终达到提高源漏欧姆接触特性的目的。 |
| 公开日期 | 2012-11-20 |
| 状态 | 公开 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/9921]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘洪刚,王虹,卢力,等. 一种III-V族半导体镍金属化制造方法. 2011-12-20. |
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