一种等离子体辅助磁控溅射沉积方法; 一种等离子体辅助磁控溅射沉积方法 | |
李刚 ; 孙龙 ; 金玉奇 | |
2014 | |
专利国别 | CN |
专利号 | CN201210358823.2 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院大连化学物理研究所 |
中文摘要 | 本发明涉及一种等离子体辅助磁控溅射沉积镀膜技术。利用磁控溅射制备金属化合物薄膜时,为了克服靶中毒、阳极消失等现象,一般采用中频或脉冲直流反应磁控溅射方法。本发明提出一种新型的等离子体辅助沉积方法,通过在真空室内增加一等离子体放电区,工件架在随公转盘公转的同时高速自转,工件转过此等离子体放电区时,反应未完全的超薄层薄膜进一步与气体离子进行化和反应,从而得到更高化学计量比的化合物薄膜,大大提高了薄膜的沉积速率。与传统的等离子体源辅助沉积技术相比,本发明专利提出的新型等离子体产生技术成本更低,易于放大,可用于大规模工业化生产领域,具有重要的应用前景。 |
是否PCT专利 | 否 |
公开日期 | 2014-03-26 |
申请日期 | 2012-09-24 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | CN201210358823.2 |
专利代理 | 马驰 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://159.226.238.44/handle/321008/120628] |
专题 | 大连化学物理研究所_中国科学院大连化学物理研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李刚, 孙龙, 金玉奇. 一种等离子体辅助磁控溅射沉积方法, 一种等离子体辅助磁控溅射沉积方法. CN201210358823.2. 2014-01-01. |
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