| 一种纳米尺度W/TiN复合难熔金属栅制备方法 | |
| 李瑞钊; 徐秋霞 | |
| 2007-01-04 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 专利号 | CN101217112 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 一种纳米尺度W/TiN复合难熔金属栅制备方法，步骤如下：在器件源/ 漏区钴硅化物形成后进行平坦化工艺，腐蚀栅槽和漂去替代栅氧化硅，再 栅氧化；真空热退火处理；溅射难熔金属TiN，厚度25-45nm；溅射W薄 膜，厚度为90-110nm；用丙酮、无水乙醇各超声清洗，去离子水冲洗，热 N2中甩干；光刻W/TiN T型栅；反应离子刻蚀W/TiN T型栅，刻蚀气体为 Cl2和SF6；等离子增强化学汽相沉积SiO2，SiO2厚度500-700nm；接触孔 形成；金属化退火。本发明解决了常规多晶硅栅存在的栅电阻过高、PMOS 器件硼穿透严重、多晶硅栅耗尽及与高K栅介质不兼容等一系列严重问题， 从而获得优良的器件特性。 |
| 公开日期 | 2008-07-09 ; 2010-11-26 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8062]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李瑞钊,徐秋霞. 一种纳米尺度W/TiN复合难熔金属栅制备方法. CN101217112. 2007-01-04. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论