用于MOS器件的金属栅极结构及其制作方法

	用于MOS器件的金属栅极结构及其制作方法
	陈大鹏; 王文武; 陈世杰
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200910303980.1
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种用于MOS器件的金属栅极结构及其制作方法，属于微电子技术中的MOS 器件技术领域。所述方法包括：在衬底上形成界面层；在界面层上形成高介电常数栅介质层；在高介电常数栅介质层上形成金属栅极材料层；对于界面层、高介电常数栅介质层和金属栅极材料层进行金属化后退火处理，以形成金属栅极结构。本发明通过对金属栅极结构进行金属化后退火处理，能够形成高质量、低缺陷金属栅极结构，并避免在退火过程中氧扩散到 SiO₂/Si界面与衬底硅反应形成SiO₂，从而使整个金属栅极结构的等效氧化层厚度保持较小，以满足MOS器件的性能要求。
公开日期	2009-12-09
申请日期	2009-07-03
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/8542]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陈大鹏,王文武,陈世杰. 用于MOS器件的金属栅极结构及其制作方法. CN200910303980.1.