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科研机构
半导体研究所 [12]
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期刊论文 [11]
专著 [1]
发表日期
2011 [1]
2010 [2]
2009 [1]
2008 [1]
2007 [1]
2006 [1]
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学科主题
半导体材料 [12]
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学科主题:半导体材料
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图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究
期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: 020703-1-020703-5
作者:
牛智川
;
王杰
;
杨晓红
;
韩勤
;
贺继方
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2011/08/16
多孔硅的孔隙对硫化锌/多孑L硅光电性质的影响
期刊论文
激光技术, 2010, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 766-769
作者:
梁德春
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2011/08/16
自支撑GaN厚膜制备及其光学性能研究
期刊论文
稀有金属材料与工程, 2010, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 2169-2172
作者:
羊建坤
;
段瑞飞
;
霍自强
;
魏同波
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2011/08/16
MOCVD生长Al_(0.48)Gao_(0.52)N/Al_(0.54)Ga_(0.36)N多量子阱的结构和光学特性
期刊论文
光电子·激光, 2009, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 1454-1457
作者:
王保柱
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2010/11/23
VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1775-1778
于会永
;
赵有文
;
占荣
;
高永亮
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/23
半导体的检测与分析
专著
北京:科学出版社, 北京, 2007
许振嘉
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浏览/下载:402/0
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提交时间:2009/09/19
ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响
期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 1759-1762
作者:
魏学成
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/23
脉冲激光沉积方法制备ZnO薄膜生长参量对发光特性的影响
期刊论文
光学学报, 2005, 卷号: 25, 期号: 10, 页码: 1371-1374
作者:
赵杰
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2010/11/23
在双热舟化学气相沉积系统中通过掺In技术生长GaN纳米线和纳米锥
期刊论文
物理学报, 2005, 卷号: 54, 期号: 9, 页码: 4329-4333
刘仕锋
;
秦国刚
;
尤力平
;
张纪才
;
傅竹西
;
戴伦
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/11/23
红光InAlAs量子点的结构和光学性质
期刊论文
发光学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 230
作者:
徐波
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/11/23
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