图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究

	图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究
	牛智川; 王杰; 杨晓红; 韩勤; 贺继方; 王秀平; 王国伟
刊名	物理学报
	2011
卷号	60 期号:2 页码:020703-1-020703-5
中文摘要	报道了在V型槽图形衬底上利用分子束外延技术外延生长的GaAs/AlGaAs量子线.外延截面在扫描电子显微镜下可以看到在V型槽底部形成了弯月型量子线结构, 量子线尺寸约为底边60 nm高14 nm的近三角形.低温87 K下光致发光谱测试在793.7和799.5 nm处出现峰值, 验证了量子线的存在.理论近似计算结果显示, 相比等宽度量子阱有8 meV的蓝移正是由于横向量子限制引起的
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家重点基础研究发展计划,国家高技术研究发展计划,国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2011-08-16
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21598]
专题	半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	牛智川,王杰,杨晓红,等. 图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究[J]. 物理学报,2011,60(2):020703-1-020703-5.
APA	牛智川.,王杰.,杨晓红.,韩勤.,贺继方.,...&王国伟.(2011).图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究.物理学报,60(2),020703-1-020703-5.
MLA	牛智川,et al."图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究".物理学报 60.2(2011):020703-1-020703-5.