多孔硅的孔隙对硫化锌/多孑L硅光电性质的影响

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	多孔硅的孔隙对硫化锌/多孑L硅光电性质的影响
	梁德春
刊名	激光技术
	2010
卷号	34 期号:6 页码:766-769
中文摘要	为了研究衬底多孔硅(PS)的孔隙对硫化锌/多孔硅(ZnS/PS)复合体系的光学性能和电学性质的影响,采用脉冲激光沉积方法在不同孔隙度的PS衬底上沉积了硫化锌薄膜.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、荧光分光光度计和I-V特性曲线分别研究了PS衬底上ZnS薄膜的晶体结构、表面形貌和ZnS/PS复合体系的光学和电学性质.结果表明,沉积的ZnS薄膜呈立方相晶体结构,沿β-ZnS(111)晶向择优取向生长.随着衬底PS孔隙的增多, ZnS薄膜衍射峰的强度减小,且薄膜表面出现一些空洞和裂缝;在ZnS/PS复合体系的光致发光谱中,PS的发光相对于未沉积ZnS薄膜的PS有所蓝移,随着PS孔隙的增多,该蓝移量增大,而且在光谱中间550nm左右出现了一个新的绿光发射,归因于ZnS的缺陷中心发光.ZnS的蓝、绿光与PS的红光相叠加,整个ZnS/PS复合体系呈现出较强的白光发射.ZnS/PS异质结的 I-V特性曲线呈现出与普通二极管相似的整流特性,在正向偏置下,电流密度较大,电压降较低;在反向偏置下,电流密度接近于0.随着衬底PS孔隙的增多,正向电流增大.该项研究结果为固态白光发射器件的实现奠定了基础
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	滨州学院"青年人才创新工程"科研基金资助项目,滨州学院科研基金资助项目
语种	中文
公开日期	2011-08-16
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21634]
专题	半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	梁德春. 多孔硅的孔隙对硫化锌/多孑L硅光电性质的影响[J]. 激光技术,2010,34(6):766-769.
APA	梁德春.(2010).多孔硅的孔隙对硫化锌/多孑L硅光电性质的影响.激光技术,34(6),766-769.
MLA	梁德春."多孔硅的孔隙对硫化锌/多孑L硅光电性质的影响".激光技术 34.6(2010):766-769.