VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质

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	VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质
	于会永 ; 赵有文 ; 占荣 ; 高永亮
刊名	半导体学报
	2008
卷号	29 期号:9 页码:1775-1778
中文摘要	研究了垂直梯度凝固法（VGF法）生长的掺Si低阻GaAs单晶材料的晶格缺陷和性质,并将VGF法和LEC法生长的非掺半绝缘GaAs单晶进行了比较.利用A-B腐蚀显微方法比较了两种材料中的微沉积缺陷,对其形成原因进行了分析.利用荧光光谱研究了掺Si-GaAs单晶中Si原子和B原子的占位情况和复合体缺陷.Hall测量结果表明,掺Si低阻VGF-GaAs单晶中存在很强的Si自补偿效应,造成掺杂效率降低.VGF-GaAs单晶生长过程中高的Si掺杂浓度造成晶体中产生大量杂质沉积,而杂质B的存在加重了这种现象.对降低缺陷密度,提高掺杂效率的途径进行了分析.
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15949]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	于会永,赵有文,占荣,等. VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质[J]. 半导体学报,2008,29(9):1775-1778.
APA	于会永,赵有文,占荣,&高永亮.(2008).VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质.半导体学报,29(9),1775-1778.
MLA	于会永,et al."VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质".半导体学报 29.9(2008):1775-1778.