ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响

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	ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响
	魏学成
刊名	半导体学报
	2006
卷号	27 期号:10 页码:1759-1762
中文摘要	利用X射线衍射技术、荧光光谱、霍尔效应和光学显微等方法分别研究了ZnO单晶的品格完整性、深能级缺陷、电学性质、位错和生长极性．通过比较ZnO单晶材料在退火前后的测试结果，分析了材料的缺陷属性和缺陷对材料性质、晶体完整性的影响．
英文摘要	利用X射线衍射技术、荧光光谱、霍尔效应和光学显微等方法分别研究了ZnO单晶的品格完整性、深能级缺陷、电学性质、位错和生长极性．通过比较ZnO单晶材料在退火前后的测试结果，分析了材料的缺陷属性和缺陷对材料性质、晶体完整性的影响．; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:02:57导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4256.pdf: 398687 bytes, checksum: c7076fc5f0d4bc817d87630c6f362cc2 (MD5) Previous issue date: 2006; 中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16605]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	魏学成. ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响[J]. 半导体学报,2006,27(10):1759-1762.
APA	魏学成.(2006).ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响.半导体学报,27(10),1759-1762.
MLA	魏学成."ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响".半导体学报 27.10(2006):1759-1762.