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| 降低二维晶体材料接触电阻的方法 专利 专利号: CN201310254601.0, 申请日期: 2017-12-22, 公开日期: 2014-12-31 作者: 贾昆鹏 ; 粟雅娟 ; 朱慧珑 ; 赵超![](/image/person.jpg)
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| 半导体器件制造方法 专利 专利号: CN201310143349.6, 申请日期: 2017-11-03, 公开日期: 2014-10-29 作者: 赵超 ; 秦长亮; 殷华湘 ; 李俊峰![](/image/person.jpg)
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| 一种自对准双重图形成像方法 专利 专利号: CN201510218532.7, 申请日期: 2017-10-27, 公开日期: 2016-12-07 作者: 张利斌 ; 韦亚一![](/image/person.jpg)
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| 半导体器件制造方法 专利 专利号: CN201510011821.X, 申请日期: 2017-09-05, 公开日期: 2016-08-03 作者: 李俊峰 ; 王垚 ; 杨涛 ; 丁明正 ; 贺晓彬![](/image/person.jpg)
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| 半导体器件 专利 专利号: CN201410812116.5, 申请日期: 2017-07-21, 公开日期: 2016-07-20 作者: 袁烽 ; 殷华湘 ; 贾云丛 ; 陈大鹏![](/image/person.jpg)
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| 三维存储器及其制造方法 专利 专利号: CN201410404550.X, 申请日期: 2017-06-06, 公开日期: 2014-11-19 作者: 霍宗亮 ; 刘明 ; 靳磊![](/image/person.jpg)
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| CMOS器件及其制造方法 专利 专利号: CN201210075694.6, 申请日期: 2017-05-03, 公开日期: 2013-09-25 作者: 赵超 ; 许高博 ; 徐秋霞
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| 基于湿法预释放结构的MEMS红外光源 专利 专利号: CN201621033986.3, 申请日期: 2017-03-15, 作者: 王玮冰 ; 陈大鹏 ; 孙西龙; 刘卫兵 ; 明安杰![](/image/person.jpg)
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| 悬浮结构的MEMS红外光源 专利 专利号: CN201621032847.9, 申请日期: 2017-03-15, 作者: 王玮冰 ; 陈大鹏 ; 任耀辉; 刘卫兵 ; 明安杰![](/image/person.jpg)
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| 后栅工艺中假栅的制造方法 专利 专利号: CN201110433706.3, 申请日期: 2017-03-08, 公开日期: 2013-06-26 作者: 卢一泓 ; 杨涛 ; 赵超 ; 李俊峰 ; 赵玉印![](/image/person.jpg)
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