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降低二维晶体材料接触电阻的方法 专利
专利号: CN201310254601.0, 申请日期: 2017-12-22, 公开日期: 2014-12-31
作者:  贾昆鹏;  粟雅娟;  朱慧珑;  赵超
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半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201310143349.6, 申请日期: 2017-11-03, 公开日期: 2014-10-29
作者:  赵超;  秦长亮;  殷华湘;  李俊峰
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一种自对准双重图形成像方法 专利
专利号: CN201510218532.7, 申请日期: 2017-10-27, 公开日期: 2016-12-07
作者:  张利斌;  韦亚一
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半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201510011821.X, 申请日期: 2017-09-05, 公开日期: 2016-08-03
作者:  李俊峰;  王垚;  杨涛;  丁明正;  贺晓彬
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半导体器件 专利
专利号: CN201410812116.5, 申请日期: 2017-07-21, 公开日期: 2016-07-20
作者:  袁烽;  殷华湘;  贾云丛;  陈大鹏
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三维存储器及其制造方法 专利
专利号: CN201410404550.X, 申请日期: 2017-06-06, 公开日期: 2014-11-19
作者:  霍宗亮;  刘明;  靳磊
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CMOS器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210075694.6, 申请日期: 2017-05-03, 公开日期: 2013-09-25
作者:  赵超;  许高博;  徐秋霞
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基于湿法预释放结构的MEMS红外光源 专利
专利号: CN201621033986.3, 申请日期: 2017-03-15,
作者:  王玮冰;  陈大鹏;  孙西龙;  刘卫兵;  明安杰
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悬浮结构的MEMS红外光源 专利
专利号: CN201621032847.9, 申请日期: 2017-03-15,
作者:  王玮冰;  陈大鹏;  任耀辉;  刘卫兵;  明安杰
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后栅工艺中假栅的制造方法 专利
专利号: CN201110433706.3, 申请日期: 2017-03-08, 公开日期: 2013-06-26
作者:  卢一泓;  杨涛;  赵超;  李俊峰;  赵玉印
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