降低二维晶体材料接触电阻的方法 | |
贾昆鹏![]() ![]() ![]() ![]() | |
2017-12-22 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN201310254601.0 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明提供了一种降低二维晶体材料接触电阻的方法,包括:提供衬底,所述衬底上具有二维晶体材料层;在所述二维晶体材料层上形成图案化的掩膜层;在掩膜层及二维晶体材料层上形成接触材料层;进行离子注入;去除掩膜层及其上的接触材料层;进行热退火工艺。本发明不需要额外增加掩膜版和刻蚀工艺,自对准实现二维晶体材料层接触电阻的调整,有效降低了二维晶体材料与接触材料的接触电阻。 |
公开日期 | 2014-12-31 |
申请日期 | 2013-06-25 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/17924] ![]() |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 贾昆鹏,粟雅娟,朱慧珑,等. 降低二维晶体材料接触电阻的方法. CN201310254601.0. 2017-12-22. |
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