半导体器件制造方法

	半导体器件制造方法
	赵超; 秦长亮; 殷华湘; 李俊峰
	2017-11-03
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201310143349.6
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明提供了一种FinFET晶体管制造方法，利用各向同性沉积和回刻蚀工艺，可以在虚设栅极的两侧面上形成宽度小于光刻特征尺寸的侧墙；然后，在填充层间介质层之后，去除该侧墙，可以形成具有亚F尺寸的栅极凹槽，进而可以在栅极凹槽中形成具有亚F尺寸的栅极线条。本发明在对光刻精度要求不高的情况下，即可实现亚F尺寸栅极线条的形成，同时，相对于现有的亚F尺寸线条形成工艺，本发明的工艺流程简单，可靠性和可控性高。
公开日期	2014-10-29
申请日期	2013-04-23
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/17913]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	赵超,秦长亮,殷华湘,等. 半导体器件制造方法. CN201310143349.6. 2017-11-03.