半导体器件制造方法

	半导体器件制造方法
	李俊峰; 王垚; 杨涛; 丁明正; 贺晓彬; 刘金彪
	2017-09-05
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201510011821.X
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明提供了一种半导体制造方法，利用离子注入和退火工艺，在半导体晶圆的正面形成了突变结；之后，利用JPV技术，在半导体晶圆的背面定位突变结的位置，从而确定晶圆位置，定位精度控制在纳米量级，远优于现有的对准方法，实现了半导体晶圆的快速、精确定位。本发明的定位方式工艺简单，完全与现有的集成电路和MEMS工艺兼容，不会增加流程的复杂性，在精确和快速背面对准的基础上，提高了生产良率，并且降低了成本。
公开日期	2016-08-03
申请日期	2015-01-09
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/17889]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李俊峰,王垚,杨涛,等. 半导体器件制造方法. CN201510011821.X. 2017-09-05.