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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2005    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种替代栅的制备方法 专利 专利号: CN1841666, 申请日期: 2005-03-31, 公开日期: 2006-10-04, 2010-11-26 作者:  徐秋霞;  李瑞钊 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/26 体串联电阻对体接触SOI数字D触发器速度特性的影响 期刊论文 电子器件, 2005, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 5，778-781,784 作者:  韩郑生;  吴峻峰;  钟兴华;  李多力;  海潮和 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/05/26 D触发器  Soi  体接触（bc）  体串联电阻   输出功率密度为2．23W／mm的X波段AlGaN／GaN功率HEMT器件 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 6，1865-1870 作者:  李晋闽;  王晓亮;  刘新宇;  胡国新;  王军喜 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/05/26 Algan／gan  高电子迁移率晶体管  Mocvd  功率器件   Zr过渡层对Al膜微结构与性能的影响 期刊论文 压电与声光, 2005, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 5，152-155,163 作者:  牛洁斌;  李冬梅;  王旭波;  潘峰;  刘明 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/05/26 Al膜  Zr过渡层  附着力  电阻   TiN栅及抬高源漏的薄膜全耗尽SOI CMOS器件的模拟研究 期刊论文 微电子学, 2005, 卷号: 35, 期号: 1, 页码: 4，44-46,50 作者:  连军;  海潮和 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/05/26 Fdsoi  Cmos  中间禁带功函数  抬高源漏结构   InP基PHEMT欧姆接触低温合金化工艺的研究 期刊论文 半导体技术, 2005, 卷号: 30, 期号: 10, 页码: 4，15-18 作者:  李潇;  张海英;  李海鸥;  刘亮;  尹军舰 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/05/26 磷化铟  赝配超晶格高电子辽移率晶体管  低温合金  欧姆接触   金属结单电子晶体管的模型建立及实验验证 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 5，1323-1327 作者:  张立辉;  李志刚;  康晓辉;  谢常青;  刘明 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/05/26 单电子晶体管  正统理论  库仑阻塞  量子隧穿