InP基PHEMT欧姆接触低温合金化工艺的研究

	InP基PHEMT欧姆接触低温合金化工艺的研究
	李潇; 张海英; 李海鸥; 刘亮; 尹军舰; 陈立强
刊名	半导体技术
	2005
卷号	30 期号:10 页码:4，15-18
关键词	磷化铟赝配超晶格高电子辽移率晶体管低温合金欧姆接触
ISSN号	1003-353X
英文摘要	对InP基PHEMT的源漏欧姆接触低温合金化工艺进行了研究，与常规的合金工艺不同，通过在低温下进行合金化，并采用金属面倒置和快速热退火的办法，制成了比接触电阻为1.26×10^-3Ω·cm^2形貌良好的欧姆接触。避免了PHEMT各层化合物半导体之间的相互作用和分解，以及能带结构变化引起的二维电子气退化，也大大减弱了高温带来的肖特基势垒层中的杂质元素往沟道内扩散引起二维电子气迁移率下降的问题。
语种	中文
公开日期	2010-05-26
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1152]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
推荐引用方式 GB/T 7714	李潇,张海英,李海鸥,等. InP基PHEMT欧姆接触低温合金化工艺的研究[J]. 半导体技术,2005,30(10):4，15-18.
APA	李潇,张海英,李海鸥,刘亮,尹军舰,&陈立强.(2005).InP基PHEMT欧姆接触低温合金化工艺的研究.半导体技术,30(10),4，15-18.
MLA	李潇,et al."InP基PHEMT欧姆接触低温合金化工艺的研究".半导体技术 30.10(2005):4，15-18.