金属结单电子晶体管的模型建立及实验验证

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	金属结单电子晶体管的模型建立及实验验证
	张立辉; 李志刚; 康晓辉; 谢常青; 刘明
刊名	半导体学报
	2005
卷号	26 期号:7 页码:5，1323-1327
关键词	单电子晶体管正统理论库仑阻塞量子隧穿
ISSN号	0253-4177
英文摘要	在正统理论的基础上，使用主方程法建立了金属结单电子晶体管的器件模型和算法流程，将电容、电阻和温度等参数代入器件模型得到的I-V特性曲线与实验结果吻合较好，从而验证了模型、算法以及程序流程的正确性，此外，通过详细讨论模拟与实验的三组曲线差别，得到模型使用主方程的稳态解是导致模拟与实验之间结果存在差别的主要原因，即求解含有时间的主方程将增加模拟精度；而且，指出镜像电荷引起的电势使电流随电压呈现指数增加的主要影响因素，明显偏离理论模拟的线性增加趋势。
语种	中文
公开日期	2010-05-26
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1168]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	张立辉,李志刚,康晓辉,等. 金属结单电子晶体管的模型建立及实验验证[J]. 半导体学报,2005,26(7):5，1323-1327.
APA	张立辉,李志刚,康晓辉,谢常青,&刘明.(2005).金属结单电子晶体管的模型建立及实验验证.半导体学报,26(7),5，1323-1327.
MLA	张立辉,et al."金属结单电子晶体管的模型建立及实验验证".半导体学报 26.7(2005):5，1323-1327.