TiN栅及抬高源漏的薄膜全耗尽SOI CMOS器件的模拟研究

	TiN栅及抬高源漏的薄膜全耗尽SOI CMOS器件的模拟研究
	连军; 海潮和
刊名	微电子学
	2005
卷号	35 期号:1 页码:4，44-46,50
关键词	Fdsoi Cmos 中间禁带功函数抬高源漏结构
ISSN号	1004-3365
英文摘要	对0．25μm TiN栅及抬高源漏的薄膜全耗尽SOI CMOS器件进行了模拟研究。由于TiN栅具有中间禁带功函数，在低的工作电压下，NMOS和PMOS的阈值电压都得到了优化。随硅膜厚度的减小，釆用源漏抬高结构，减小了源漏串联电阻。采用抬高源漏结构的NMOS和PMOS，其饱和电流分别提高了36％和41％。由于采用源漏抬高能进一步降低硅膜厚度，短沟道效应也得到了抑制．
语种	中文
公开日期	2010-05-26
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1262]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
推荐引用方式 GB/T 7714	连军,海潮和. TiN栅及抬高源漏的薄膜全耗尽SOI CMOS器件的模拟研究[J]. 微电子学,2005,35(1):4，44-46,50.
APA	连军,&海潮和.(2005).TiN栅及抬高源漏的薄膜全耗尽SOI CMOS器件的模拟研究.微电子学,35(1),4，44-46,50.
MLA	连军,et al."TiN栅及抬高源漏的薄膜全耗尽SOI CMOS器件的模拟研究".微电子学 35.1(2005):4，44-46,50.