| 一种替代栅的制备方法 | |
| 徐秋霞; 李瑞钊 | |
| 2005-03-31 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 专利号 | CN1841666 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明属于超深亚微米及以下特征尺寸半导体器件制备方法，特别涉 及用于超深亚微米金属栅CMOS制造的一种替代栅制备技术。用金属作栅 电极，可以从根本上消除栅耗尽效应和硼穿透现象，同时获得非常低的栅 电极薄层电阻。本发明采用嵌入式金属栅CMOS工艺(即替代栅制备工艺) 实现了一种新颖的金属栅CMOS技术。在这种嵌入式金属栅CMOS工艺 中，主要关键技术之一是一套替代栅的制备技术，它包括替代栅材料的选 取，精细的替代栅图形的成形，平坦化和替代栅的去除。 |
| 公开日期 | 2006-10-04 ; 2010-11-26 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/7324]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐秋霞,李瑞钊. 一种替代栅的制备方法. CN1841666. 2005-03-31. |
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