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半導体発光素子の製造方法 专利
专利号: JP2999520B2, 申请日期: 1999-11-05, 公开日期: 2000-01-17
作者:  細井 洋治;  小林 正男;  的場 昭大;  鹿島 保昌
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半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利号: JP2849423B2, 申请日期: 1998-11-06, 公开日期: 1999-01-20
作者:  細井 洋治;  小林 正男;  的場 昭大;  坪田 孝志
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半導体レーザ素子及びその実装方法 专利
专利号: JP1998117035A, 申请日期: 1998-05-06, 公开日期: 1998-05-06
作者:  的場 昭大
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半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利号: JP1994007640B2, 申请日期: 1994-01-26, 公开日期: 1994-01-26
作者:  的場 昭大;  大柴 小枝子;  小川 洋;  川井 義雄
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半導体レ-ザの製造方法 专利
专利号: JP1994007639B2, 申请日期: 1994-01-26, 公开日期: 1994-01-26
作者:  堀川 英明;  和田 浩;  的場 昭大;  川原 正人
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半導体発光素子の製造方法 专利
专利号: JP1993145174A, 申请日期: 1993-06-11, 公开日期: 1993-06-11
作者:  細井 洋治;  的場 昭大;  坪田 孝志
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