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| 発振波長可変半導体レーザ 专利
专利号: JP2000049418A, 申请日期: 2000-02-18, 公开日期: 2000-02-18
作者: 中村 幸治; 大柴 小枝子; 堀川 英明
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| 光半導体装置 专利
专利号: JP1999261168A, 申请日期: 1999-09-24, 公开日期: 1999-09-24
作者: 山田 光志; 中村 幸治; 大柴 小枝子; 堀川 英明
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| 集積型半導体光素子およびその製造方法 专利
专利号: JP1999154770A, 申请日期: 1999-06-08, 公开日期: 1999-06-08
作者: 大柴 小枝子
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 集積型半導体光素子 专利
专利号: JP1999135876A, 申请日期: 1999-05-21, 公开日期: 1999-05-21
作者: 大柴 小枝子; 中村 幸治; 堀川 英明
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| 変調器集積化半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP1999087839A, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30
作者: 中村 幸治; 山内 義則; 大柴 小枝子; 堀川 英明
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| 半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP1999087851A, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30
作者: 中村 幸治; 大柴 小枝子; 堀川 英明
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| 半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP1999068222A, 申请日期: 1999-03-09, 公开日期: 1999-03-09
作者: 中村 幸治; 大柴 小枝子; 堀川 英明
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| 光パルス発生装置 专利
专利号: JP1999040889A, 申请日期: 1999-02-12, 公开日期: 1999-02-12
作者: 大柴 小枝子
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| 半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利号: JP1999040897A, 申请日期: 1999-02-12, 公开日期: 1999-02-12
作者: 大柴 小枝子; 山内 義則; 堀川 英明
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| 半導体光デバイスの製造方法 专利
专利号: JP1998209568A, 申请日期: 1998-08-07, 公开日期: 1998-08-07
作者: 堀川 英明; 中村 幸治; 山内 義則; 大柴 小枝子
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