| 集積型半導体光素子およびその製造方法 | |
| 大柴 小枝子 | |
| 1999-06-08 | |
| 著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 专利号 | JP1999154770A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 集積型半導体光素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 迷光の影響を低減して導波光を出射させ、かつ製造工数を低減すること。 【解決手段】 光変調器領域200の変調吸収層26よりも下側に迷光吸収層20bを設け、かつ当該迷光吸収層を発振領域100の活性層20aおよび変調吸収層の結合部から光変調器領域の出射端面19の直前の位置まで設けてあること。 |
| 公开日期 | 1999-06-08 |
| 申请日期 | 1997-11-21 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89603]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大柴 小枝子. 集積型半導体光素子およびその製造方法. JP1999154770A. 1999-06-08. |
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