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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 An Analytic Model for Nanowire MOSFETs With Ge/Si Core/Shell Structure 期刊论文 ieee电子器件汇刊, 2008 Zhang, Lining; He, Jin; Zhang, Jian; Liu, Feng; Fu, Yue; Song, Yan; Zhang, Xing 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/11/10 Analytic model  ballistic transport  core/shell  Ge/Si heterojunction  nanowire MOSFETs (NWFETs)  Poisson-Boltzmann equation  quantum-mechanical effect  SURROUNDING-GATE MOSFETS  FIELD-EFFECT-TRANSISTOR  FERMI-DIRAC INTEGRALS  NANOSCALE MOSFETS  VOLUME INVERSION  SI MOSFETS  PERFORMANCE  HETEROSTRUCTURES  SIMULATION  TRANSPORT