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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 硅中分子离子注入的损伤增强效应 成果 鉴定: 无, 2001 林成鲁; 邹世昌; 周祖尧; 杨根庆; 林梓鑫; 方子韦; 李晓勤 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/04/12 硅中注入BF_2~＋辐射损伤的反常行为 期刊论文 核技术, 1995, 期号: 12 林成鲁; 李晓勤; 周祖尧; 杨根庆; 邹世昌 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/03/29 硅中分子离子注入的损伤增强效应 期刊论文 中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学), 1992, 期号: 07 林成鲁; 杨根庆; 方子韦; 李晓勤; 邹世昌; J.Gyulai; R.G.Elliman 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/29 硅中BF_2~+注入束流效应的掠角背散射沟道分析 期刊论文 核技术, 1991, 期号: 04 李晓勤; 林成鲁; 杨根庆; 周祖尧; 邹世昌; E.Ktai 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/03/29 P_2~+和P~+注入硅固相外延过程时间分辨的反射率研究 期刊论文 物理学报, 1990, 期号: 07 方子韦; 林成鲁; 杨根庆; 李晓勤; 邹世昌; R.G.ELLIMAN 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2012/03/29